如果您專長於電子電路晶片設計,但對於光學檢測不熟悉,希望能夠找到一個擅長光學、光譜學檢測的合作夥伴...
如果您是消費性電子產品的專家,現在要跨足CMOS影像晶片相關的後端模組產品,但卻不熟悉CMOS影像晶片成像品質的檢驗方式與方法...
如果您的CMOS影像晶片要在短時間內完成相關光學性能的設計與驗證,您需要在短時間內完成光學檢測系統的佈署,想找尋一個可靠的合作夥伴...
您已經有傳統積分球式檢測系統,但卻因發散角過大無法對microlens或是主光角(CRA)等精密光學參數進行性能測試,想找尋一套高準直的檢測系統...
對於已投產的CMOS影像晶片,您希望能夠驗證代工廠製程的品質,想找尋一個非破壞性的光學檢測系統...
您是後端的相機模組商,需要準確的CMOS晶片光學參數(如晶片microlens的CRA),來設計合適的鏡頭參數,來完成整體模組的設計與驗證...
您正在開發後端的ISP(影像訊號處理晶片),正在找尋一套模擬光源系統,具有高光強動態範圍調變能力同時涵蓋UV到NIR波段,可以來模擬CMOS影像晶片的應用環境,來協助您開發ISP演算法...
可應用於新製程與新材料的研發,同時可以做為量產品質的缺陷分析與可靠性驗證,來監控製程的變異因子。
無須切割或對晶片進行破壞性檢測,我們採用先進的光轉換調變技術,可將影像晶片的數位訊號"逆轉譯"分析出微米級感光元件的量子效率、晶片類比電路的系統增益、暗電流噪聲、飽和度、光電響應線性度等等。
我們模組化的產品,可以讓您在3個月內建立完整的CMOS影像晶片的光學測試分析能力,省下至少兩年的時間建立團隊與系統。除了時間成本外,我們還為您節省了大量的試錯成本與市場機會成本的掌握。讓您快速地跨入CMOS影像晶片產業鏈
隨著CMOS影像晶片的廣泛應用,我們具有完整的光機電整合團隊,可以協助您解決最新應用端的測試技術問題,幫助您在新應用如TOF、屏下指紋辨識等領域的開發快速突破。
為加速CMOS影像晶片的開發,RD與Fab需要能保持緊密的溝通。在晶圓切割測試前,就能進行影像晶片的量子效率測試,可以省去後段封裝的時間與費用,大幅縮短開發的時程外,晶圓還可再加工降低成本。量子效率的測試可以加速新製程的開發與可靠性驗證,已是影像晶片研發與量產的必要測試。
高準直光束系統,可以進行高動態範圍的PTC測試,與其它CMOS影像晶片重要參數測試。可滿足CRA測試需求,並可作為Microlens的設計驗證。
可進行全光譜的量子效率測試,標準波長範圍300 nm ~ 1100 nm ,可擴展到1700 nm。
可進行PTC、量子效率、PRNU等多達十多種的影像晶片參數分析功能。
我們的測試方案 ,可以涵蓋整個CMOS影像感測器的上、中、下游的產業鏈, 從未封裝晶圓、CMOS影像晶片模組到CMOS影像相機,我們都已為客戶設計過完整的配套解決方案。
ToF CMOS Image sensor characterization by SG-A system (CIS-QE + Theia).
Non-destructive optical inspection technology help you easily proceed reverse engineering and analyze the stacked BI image sensor's design parameters without damaging the package of chip.
From the EQE results, the highest EQE value can be achieved over 85% @ 650nm due to the BI structure. The extremely excellent NIR response at 850nm and 940nm makes SONY IMX556 a leader in 3D sensing application.
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