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對於CMOS影像晶片,您是否遇到下列的狀況:

CMOS image sensor  testing challenge and solution

對於光學測試設備不熟悉...

如果您專長於電子電路晶片設計,但對於光學檢測不熟悉,希望能夠找到一個擅長光學、光譜學檢測的合作夥伴...

不知道如何測試CMOS影像晶片

如果您是消費性電子產品的專家,現在要跨足CMOS影像晶片相關的後端模組產品,但卻不熟悉CMOS影像晶片成像品質的檢驗方式與方法...

要在短時間內完成CMOS影像晶片的設計驗證

如果您的CMOS影像晶片要在短時間內完成相關光學性能的設計與驗證,您需要在短時間內完成光學檢測系統的佈署,想找尋一個可靠的合作夥伴...

現有的系統無法檢測出micro lens的特性

您已經有傳統積分球式檢測系統,但卻因發散角過大無法對microlens或是主光角(CRA)等精密光學參數進行性能測試,想找尋一套高準直的檢測系統...

驗證Foundry製程的良率

對於已投產的CMOS影像晶片,您希望能夠驗證代工廠製程的品質,想找尋一個非破壞性的光學檢測系統...

設計CMOS影像晶片的鏡頭模組

您是後端的相機模組商,需要準確的CMOS晶片光學參數(如晶片microlens的CRA),來設計合適的鏡頭參數,來完成整體模組的設計與驗證...

開發ISP晶片演算法

您正在開發後端的ISP(影像訊號處理晶片),正在找尋一套模擬光源系統,具有高光強動態範圍調變能力同時涵蓋UV到NIR波段,可以來模擬CMOS影像晶片的應用環境,來協助您開發ISP演算法...

誰需要影像晶片測試方案?

CMOS Image Sensor 的產業鏈與終端應用

CMOS影像晶片產業鏈

可應用於新製程與新材料的研發,同時可以做為量產品質的缺陷分析與可靠性驗證,來監控製程的變異因子。

光焱科技CMOS影像晶片檢測解決方案特點

非破壞性光學檢測技術

非破壞性光學檢測技術

非破壞性光學檢測技術

無須切割或對晶片進行破壞性檢測,我們採用先進的光轉換調變技術,可將影像晶片的數位訊號"逆轉譯"分析出微米級感光元件的量子效率、晶片類比電路的系統增益、暗電流噪聲、飽和度、光電響應線性度等等。

快速的佈署能力

非破壞性光學檢測技術

非破壞性光學檢測技術

我們模組化的產品,可以讓您在3個月內建立完整的CMOS影像晶片的光學測試分析能力,省下至少兩年的時間建立團隊與系統。除了時間成本外,我們還為您節省了大量的試錯成本與市場機會成本的掌握。讓您快速地跨入CMOS影像晶片產業鏈

全方位的技術支援

非破壞性光學檢測技術

全方位的技術支援

隨著CMOS影像晶片的廣泛應用,我們具有完整的光機電整合團隊,可以協助您解決最新應用端的測試技術問題,幫助您在新應用如TOF、屏下指紋辨識等領域的開發快速突破。

wafer level quantum efficiency testing晶圓級量子效率測試
光學式非破壞性檢測技術

晶圓級量子效率測試SG-U

為加速CMOS影像晶片的開發,RD與Fab需要能保持緊密的溝通。在晶圓切割測試前,就能進行影像晶片的量子效率測試,可以省去後段封裝的時間與費用,大幅縮短開發的時程外,晶圓還可再加工降低成本。量子效率的測試可以加速新製程的開發與可靠性驗證,已是影像晶片研發與量產的必要測試。

深入瞭解,請聯繫我們

我們提供全方位的CMOS影像晶片的測試解決方案

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Theia系統

高準直光束系統,可以進行高動態範圍的PTC測試,與其它CMOS影像晶片重要參數測試。可滿足CRA測試需求,並可作為Microlens的設計驗證。

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CIS-QE系統

可進行全光譜的量子效率測試,標準波長範圍300 nm ~ 1100 nm ,可擴展到1700 nm。

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Argus分析軟體

可進行PTC、量子效率、PRNU等多達十多種的影像晶片參數分析功能。

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測試解決方案的能力

我們提供的測試系統及可以測試CMOS影像晶片的重要參數,並可提供客製化的分析。

深入了解,請聯繫我們
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可測試的樣品種類

我們的測試方案 ,可以涵蓋整個CMOS影像感測器的上、中、下游的產業鏈, 從未封裝晶圓、CMOS影像晶片模組到CMOS影像相機,我們都已為客戶設計過完整的配套解決方案。

聯繫我們,討論適合您的方案

ToF CMOS image sensor characterization

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Back-illuminated ToF sensor

SONY DepthSense

 ToF CMOS Image sensor characterization by SG-A system (CIS-QE + Theia).    

Non-destructive optical inspection technology help you easily proceed reverse engineering and analyze the stacked BI image sensor's design parameters without damaging the package of chip. 

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Non-Destructive EQE Test

From the EQE results, the highest EQE value can be achieved  over 85% @ 650nm due to the BI structure. The extremely excellent NIR response at 850nm and 940nm makes SONY IMX556 a leader in 3D sensing application.

More...

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